1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
3、问题:在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是： （ ）
选项：
A:腐蚀
B:离子注入
C:光刻
D:CVD
答案: 【光刻】
4、问题:光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。
选项：
A:对光刻精度较高
B:光刻图案密度较高
C:光刻的材料易于腐蚀
D:光刻的材料难以腐蚀
答案: 【光刻的材料难以腐蚀】
见面课：半导体器件及材料表征技术
1、问题:通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、问题:TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:AFM通常用来观测样品表面形貌。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
4、问题:XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
见面课：半导体器件基本结构
1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
选项：
A:栅极长度
B:漏极宽度
C:栅极宽度
D:以上都不是
答案: 【栅极宽度】
7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
选项：
A:集电极到发射极
B:集电极到基极
C:基极到发射极
D:以上都不是
答案: 【集电极到基极】
8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断
选项：
A:栅、源、漏
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