问题描述：
2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻比值一磁感应强度特性曲线，其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．（1）为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB，已知无磁场时阻值R0=150Ω．现将磁敏电阻置入待测磁场中，在室温下用伏安法测得其两端的电压和通过的电流数据如下表：
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
| U（V） | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
| I（mA） | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
（2）请用下列器材设计一个电路：将一小量程的电流表改装成一能测量磁感应强度的仪表，要求设计简单，操作方便．（环境温度一直处在室温下）
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150Ω
B．电流表，量程Ig=2mA，内阻约50Ω
C．滑动变阻器R，全电阻约1500Ω
D．直流电源E，电动势E=3V，内阻约为1Ω
E．开关S，导线若干
①在图2中的虚线框内完成实验电路图；
②改装后，电流表表盘上电流刻度要转换成磁感应强度B．若2.0mA处标0T，那么1.0mA处标______T．（保留两位有效数字）
最佳答案：
（1）根据表中实验数据可知，磁敏电阻阻值为：RB=UI=0.450.30×10−3=1.5×103Ω，RBR0=1.5×103150=10，由图所示图象可知，磁感应强度为：B=1.2T；（2）①实验电路图如图所示；②由闭合电路欧姆定律得：Ig=ER内，R...
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