一、填空题
1．目前国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有：冷热探笔法 三探针法 单探针点接触整流法 冷探笔法 四探针法_。
2．半导体硅的常用腐蚀剂主要有 Sirtl腐蚀液、Dash腐蚀液、Wright腐蚀液、Shimmel腐蚀液。
3．根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，可以确定晶体的生长方向和晶体的 晶向偏离角度，这就是光图定向的基本原理。
4．目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法，这种方法需选用具有能满足氯、碳测定波长范围的红外分光光度计；而测定多晶硅中基硼、基磷含量的方法是悬浮区熔法。
5．在工业生产中要制备纯水和超纯水，通常使用自来水作原水，经过过滤、吸附、反渗透、离子交换和紫外线杀菌等流程来制备。
6. 测量高纯水的方法有两种：一种是静置测量法，一种是流动测量法。
7. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法；三氯氢硅中硼的分析采用自然挥发法；三氯氢硅中痕量磷的分析采用气相色谱法；高纯Ar、H2、N2等气体中水分的测定采用露点法
8. X射线形貌技术的实验方法主要有透射形貌法、反射形貌法、异常透射法、双晶光谱仪。
9．用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有两探针法、四探针法、扩展电阻法和范德堡法。
10．影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响 、腐蚀处理的温度和搅拌的影响和光照的影响。
11．一般X射线大致具有下列性质感光作用、荧光作用、电离作用、穿透能力强、X射线的折射率近似等于1和衍射作用。
12．目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法，这种方法需选用具有能满足氯、碳测定波长范围的红外分光光度计；而测定多晶硅中基硼、基磷含量的方法是悬浮区熔法。
13．RO反渗透装置主要由高压泵、反渗透膜元件、压力容器、控制部分组成。
14. 测量高纯水的方法有两种：一种是静置测量法，一种是流动测量法。
15. 露点法测定气体中的水分，所测定的“露点”是被测气体中水蒸气，随着温度的降低（人工致冷）而凝结为露的温度。这种方法中存在的危险源是液氮低温冻伤。
16. 硅单晶中的微缺陷是指长度、面积和体积都很小的缺陷，通常把线度小于10-4cm的缺陷称为微缺陷。
17．目前国内外半导体硅单晶导电类型的测量有两个类别温差电动势法和整流效应法。半导体单晶电阻率的测量，可以分为接触法和无接触法两大类。
18．半导体晶体缺陷可以分为宏观缺陷，例如星形结构、杂质析出、系属结构等和微观缺陷，例如点缺陷、位错、层错等，以及点阵应变和表面机械损伤。
19．目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法，这种方法需选用具有能满足氯、碳测定波长范围的红外分光光度计；而测定多晶硅中基硼、基磷含量的方法是悬浮区熔法。
20．天然水中杂质包括悬浮物质、胶体物质、溶解物质三大部分。
21. 离子交换树脂由树脂的骨架和活性基团两部分组成。
22. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法；三氯氢硅中硼的分析采用自然挥发法；三氯氢硅中痕量磷的分析采用气相色谱法；高纯Ar、H2、N2等气体中水分的测定采用露点法。
二、单项选择题
1．用冷热探笔法测量（B）半导体时，冷端带负电，热端带正电。
A）P型 B）N型 C）PN型 D）以上皆不是
2．位错密度通常采用（B）来表示，可在金相显微镜下测定。
A）体密度 B）面密度 C）线密度 D）以上皆不是
3．以下表示晶面指数最恰当的是（B）。
A）（664） B）（463）C）（333）D）（246）
4．硅单晶样品对红外光的反射率越（），吸收系数越（A），那么红外光的透射率就越小。
A）高 大 B）高 小 C）低 大 D）低 小
5．制取高纯水时一般采用（ A）交换树脂和（ ）交换树脂。
A）强酸型阳离子 强碱型阴离子 B）强碱型阴离子 强酸型阳离子
C）强酸型阳离子 强酸型阴离子 D）强碱型阳离子 强碱型阳离子
6．三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（B ）法。
A）自然挥发法 B）基于时间的差别进行分离 C）过滤 D）化学分离
7．用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ B ）为宜。
A）30～50℃ B）40～60℃ C）50～70℃ D）60～80℃
8．（ D ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A）点缺陷 B）线缺陷 C）面缺陷 D）微缺陷
9．X射线定向法的误差可以控制在（B）范围内，准确度高。
A）±10' B）±15' C）±20' D）±30'
10．露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险源是（ A ）。
A）液氮低温冻伤 B）潜在氢气泄露引起的爆炸 C）温度过高 D）没有明显危险源
11．用冷热探笔法测量（A）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A）P型 B）N型 C）PN型 D）以上皆不是
12．（D）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A）点缺陷 B）线缺陷 C）面缺陷 D）微缺陷
13．光图定向法结果直观，操作（A），误差（）。
A）简单 较大 B）复杂 较大 C）简单 较小 D）复杂 较小
14．悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（C）左右。
A） 3min B）5min C）10min D）20min
15．树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ C）大为减少。
A） B） C） 和 D）Ca
16．露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险源是（A ）。
A）液氮低温冻伤 B）潜在氢气泄露引起的爆炸 C）温度过高 D）没有明显危险源
17．下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（B）。
A）悬浮物质 B）挥发物质 C）胶体物质 D）溶解物质
18．气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ B ）。
A）液氮低温冻伤 B）潜在氢气泄露引起的爆炸 C）温度过高 D）没有明显危险源
19．X射线定向法的误差可以控制在（B）范围内，准确度高。
A）±10' B）±15' C）±20' D）±30'
20．直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（A）。
A）较高 B）相同 C）较低 D）无法判断
21．冷热探笔法属于利用半导体的（ A）来测量导电类型的方法。
A）温差电效应 B）整流效应 C）以上二种皆可 D）以上二种皆不可
22．半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（D）。
A）49% B）70% C）30% D）36%
23．直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（A）。
A）较高 B）相同 C）较低 D）无法判断
24．晶面指数最低的晶面总是具有（C ）的晶面间距。
A）最小 B）相等 C）最大 D）无法判断
25．RO反渗透技术是利用（D）为动力的膜分离过滤技术。
A）吸附力 B）离子交换 C）电力 D）压力差
26．对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ A）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。
A）SiO2 B）SiH C）HCL D）Si
27．超纯水是电阻率达到（C） 左右的水。
A）16 B）17 C）18 D）19
28．气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（B）。
A）液氮低温冻伤 B）潜在氢气泄露引起的爆炸 C）温度过高 D）没有明显危险源
29．质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（B）从而进行杂质分析。
A）离子的质量 B）离子的浓度 C）离子的运动 D）离子的温度
30．用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（B）为宜。
A）30～50℃ B）40～60℃ C）50～70℃ D）60～80℃
31．三探针法属于利用半导体的（B）来测量导电类型的方法。
A）温差电效应 B）整流效应 C）以上二种皆可 D）以上二种皆不可
32．漩涡缺陷是晶体中（A）的局部聚集。
A）点缺陷 B）线缺陷 C）面缺陷 D）微缺陷
33．硅晶体中，氧的分凝系数（A）1，碳的分凝系数（ ）1。
A）大于 小于 B）大于 大于 C）小于 小于 D）小于 大于
34．光图定向法结果直观，操作（A），误差（ ）。
A）简单 较大 B）复杂 较大 C）简单 较小 D）复杂 较小
35．纯水是电阻率达到（C） 左右的水。
A）8 B）9 C）10 D）11
36．当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（B）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。
A） 5%盐酸 B）1.0%浓度的亚硫酸氢纳 C）4%氢氧化钠 D）1%富尔马林溶液
37．放射线同位素的量越多，放出的 射线的强度（C）。
A）越小 B）不变 C）越大 D）随机变化
38．以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（D）。
A）混合氯代硅烷 B）氯化氢 C）磷化氢 D）水
39．双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（C）。
A）4cm B）3cm C）2cm D）1cm
40．露点法测定气体中的水分职业中，本岗位存在的危险源是（ A ）。
A）液氮低温冻伤 B）潜在氢气泄露引起的爆炸 C）温度过高 D）没有明显危险源
三、简答题
1. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
答：高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是在光脉冲照射下产生非平衡少数载流子衰减后引起样品的电导率发生改变，从而引起样品的电流或者样品上的电压发生变化得到电压或电流的衰减信号，再检测这种电压或电流信号的衰减规律，从而测出样品的非平衡载流子的寿命。
2．X射线是如何产生的？
答：任何一种高速运动的带电粒子与金属物质相碰撞时，都会产生X射线。高速运动的电子与物体相撞时，发生能量转换，电子的运动受阻失去动能，大部分能量变为热能，一小部分能量以光的形式放出，就是X射线。
3．简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
答：原水（蒸馏水或自来水）流过离子交换树脂时，水中的阳、阴杂质离子与树脂的 和 离子交换而被吸附在树脂上，若阳、阴树脂比例适当，则树脂中有等量 和 离子的进入水中，完全结合成水，这一过程直到树脂失效。然后经过树脂的再生处理，恢复树脂的交换能力，进行再交换，如此往复。
4. 从微观上看，漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别？
答：从微观上看，漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。它与位错蚀坑的区别在于前者是浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而后者是深的尖底坑，显微镜下呈黑三角形。
5. 简述光图定向的基本原理。
答：当平行光入射到处理后的硅单晶面上，形成反射，在此反射光路上放置一光屏，现出晶体的光像。根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，可以确定晶体的生长方向和晶体的晶向偏离角度。
6．简述悬浮区熔。
答：利用硅熔体中杂质的分凝效应（当固液或固气两相平衡共存时，两相的组成不同，这种现象称为分凝）和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个熔区，熔区温度1410℃，并使之从一端移至另一端，以达到提纯和控制杂质的目的。由于硅棒垂直放置，并且不用容器，区溶时建立的溶区在硅棒之间移动，所以称为悬浮区溶。
7．简述气相色谱法基本原理。
答：气相色谱法是基于时间差别的分离技术，将气化的混合物或气体通过含有某种物质的管，基于管中物质对不同化合物保留新能不同而得到分离，这样就是基于时间差别对化合物分离，样品经过检测器后被记录的就是色谱图，每一个峰值代表最初混合样品中不同的组分，峰出现的时间成为保留时间，可以用来对每个组进行定性，而峰的大小则是组分含量的度量。
8. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？
答：测量半导体硅单晶导电类型时，因为主要测出的是点接触处表面的导电类型，要求表面无反型层、无氧化层、清洁无油污。通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理，不要用经过腐蚀、抛光处理或未经处理的原始表面。半导体表面对外界十分敏感，经过化学腐蚀处理的样品容易沾上正、负离子，使半导体表面感应出反型层，从而造成测量的错误。
9．目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般可分为两大类。第一类为直接法，这类方法中主要有光电导衰退法。第二类为稳态法，这类方法主要扩散长度法和光磁法。
10．金相显微镜是固体表面形貌显微观察最主要也是最常用的仪器。它由光学系统、照明系统、机械系统几部分构成。
11．根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，可以确定晶体的生长方向和晶体的晶向偏离角度，这就是光图定向的基本原理。
12．目前测定硅单晶中的氧、碳含量最常用的方法是红外吸收法，这种方法需选用具有能满足氯、碳测定波长范围的红外分光光度计；而测定多晶硅中基硼、基磷含量的方法是悬浮区熔法。
13．混合离子交换器结构由进水装置、再生装置、中排装置、排水装置组成。
14. 在工业生产中要制备纯水和超纯水，通常使用自来水作原水，经过过滤、吸附、反渗透、离子交换和紫外线杀菌等流程来制备。
15. 露点法测定气体中的水分，所测定的“露点”是被测气体中水蒸气，随着温度的降低（人工致冷）而凝结为露的温度。这种方法中存在的危险源是液氮低温冻伤。
16. 硅单晶中的微缺陷是指长度、面积和体积都很小的缺陷，通常把线度小于10-4cm的缺陷称为微缺陷。
17. 简述在立方晶系中，一个晶面的晶面指数是如何决定的。
答：晶面指数又称为密勒指数，其决定方法如下：
（1）写出该晶面与X、Y、Z轴相交的长度，用单位矢量长度a、b、c的倍数r、s、t表示，然后取其倒数 、 、 。
（2）将上述三个分数通分，取各分数分母的最小公倍数为分母。
（3）取通分后三个分数的分子作该晶面的指数。
18．简述X射线衍射与光反射的区别。
答：（1）在X射线的衍射中，仅有一定数量的入射角（满足布喇格定律）能引起衍射，而可见光可在任意的入射角反射。（2）X射线被晶体的原子平面衍射时，不仅晶体表面，而且晶体内原子平面也参与衍射作用，而可见光仅在物体表面产生反射。
19．简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
答：原水（蒸馏水或自来水）流过离子交换树脂时，水中的阳、阴杂质离子与树脂的 和 离子交换而被吸附在树脂上，若阳、阴树脂比例适当，则树脂中有等量 和 离子的进入水中，完全结合成水，这一过程直到树脂失效。然后经过树脂的再生处理，恢复树脂的交换能力，进行再交换，如此往复。
20. 简述高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理。
答：高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是在光脉冲照射下产生非平衡少数载流子衰减后引起样品的电导率发生改变，从而引起样品的电流或者样品上的电压发生变化得到电压或电流的衰减信号，再检测这种电压或电流信号的衰减规律，从而测出样品的非平衡载流子的寿命。
21. 用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电，而测量N型半导体时，为什么冷端带负电，热端带正电？
答：对于P型半导体，空穴扩散流的方向是从热端到冷端，电场的方向是从冷端指向热端，冷端带正电，热端带负电。而对于N型半导体，电子热运动扩散流的方向也是从热端到冷端，但由于电子带负电，电荷积累的结果是热端带正电，冷端带负电。
22．X射线是如何产生的？
答：任何一种高速运动的带电粒子与金属物质相碰撞时，都会产生X射线。高速运动的电子与物体相撞时，发生能量转换，）电子的运动受阻失去动能，大部分能量变为热能，一小部分能量以光的形式放出，就是X射线。
23．简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
答：SiHCl3中杂质主要是指Mn、Fe、Ni、Ti、Mg、Al、Pb、Ca、Cr、Cu、Su、Zn等金属杂质，对这些杂质的分析采用蒸发法。蒸发法是用微量的高纯水与SiHCl3作用产生少许SiO2水解物， SiO2对痕量杂质元素有吸附作用，基体在常温下用纯净氮气做载气进行慢挥发，残留的SiO2用氢氟酸蒸汽溶解除去，残渣用盐酸溶解，用溶液干渣法光谱测定，本方法适用于测定杂质含量较低的样品。
24. 简述RO系统清洗条件。
答：在其他条件不变情况下，
（1）装置的纯水量比初期投运时或上次清洗后降低5%-10%时；
（2）装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%；
（3）装置各段的压力差值为出投运时或上次清洗后的1-2倍；
（4）装置需长期停运时用保护溶液保护前。
25.简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
答：原水流过离子交换树脂时，水中的阳、阴杂质离子与树脂的 和 离子交换而被吸附在树脂上，若阳、阴树脂比例适当，则树脂中有等量 和 离子的进入水中，完全结合成水，这一过程直到树脂失效。然后经过树脂的再生处理，恢复树脂的交换能力，进行再交换，如此往复。
26.简述用膨胀处理干、湿新树脂的过程。
答：对湿树脂的处理，是把树脂放在清水中浸泡2-4h，然后冲洗数次，除去机械杂质和不合格的树脂，到出水清凉止，整个过程要求不断搅拌。
对干树脂的处理，首先是树脂放入4%-5%NaCL溶液中浸泡，然后不断增加Nacl浓度到20%。浸泡2-4h，再逐步放入清水，使Nacl溶液的浓度降至3%以下，树脂在Nacl溶液浓度的增减过程中得到膨胀。
27.简述纯水制备的注意事项。
答：（1）原水箱回流阀不能完全关闭，避免后续阀门不能正常开启时压力上升，保护原水泵。
（2）在日常维护过程中，每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动，并且要把控制阀旋到对应位置才能开启原水增压泵。
（3）石英石滤材一般每3-5年更换或增加一次，更换或添加时间时检查桶内上、下层集散水器有无破损。
（4）每周检测一次砂滤出水SDI值，若SDI超过5，则检查原因。
28.简述纯水制备系统清洗必须进行化学清洗的四种情况。
答：（1）装置的纯水量比初期投运时或上次清洗后降低5%-10%时；
（2）装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%；
（3）装置各段的压力差值为出投运时或上次清洗后的1-2倍；
（4）装置需长期停运时用保护溶液保护前。
29.简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
答：SiHCl3中杂质主要是指Mn、Fe、Ni、Ti、Mg、Al、Pb、Ca、Cr、Cu、Su、Zn等金属杂质，对这些杂质的分析采用蒸发法。蒸发法是用微量的高纯水与SiHCl3作用产生少许SiO2水解物，SiO2对痕量杂质元素有吸附作用，基体在常温下用纯净氮气做载气进行慢挥发，残留的SiO2用氢氟酸蒸汽溶解除去，残渣用盐酸溶解，用溶液干渣法光谱测定，本方法适用于测定杂质含量较低的样品。
30.简述气相色谱基本原理.
答：气相色谱是基于时间差别的分离技术，将气化的混合物或气体通过含有某种物质的管，基于管中物质对不同化合物保留新能不同而得到分离，这样就是基于时间差别对化合物分离，样品经过检测器后被记录的就是色谱图，每一个峰值代表最初混合样品中不同的组分，峰出现的时间成为保留时间，可以用来对每个组进行定性，而峰的大小则是组分含量的度量。
31.简述气相色谱法测定干法H2的组成的原理。
答：待测组分在载气的推动下，经过色谱分离柱（内填涂有固定气相的担体）由于不同化合物性质差异他们在固定相的分配系数不一样，流出速度有快有慢，因而倍测混合物组分通过色谱柱后需分离单一组分，并顺序地被载气送入测定器，进行检定，由记录仪录出色谱图，再进行测量计算达到测定的目的。
32.简述质谱分析造成其误差较高的因素。
1）杂质在样品中分布不均匀，质谱分析一次只消耗很少样品，当样品中杂质分布不均匀是，分析结果便不能代表整个样品中杂质的含量；
2）各元素的电离效率与元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关在质谱分析中往往忽略这些因素
3）用谱线黑度来反映粒子流强度时，同样会受到很多因素的影响，如离子质量影响等等；
4）样品处理不当二受到金属离子、有机溶剂、酸碱腐蚀沾污时，会使结果受到影响；
5）当火花源真空度不高或者样品受到沾污时，质谱图上回出现有机线谱，使谱线分析受到干扰。
6）主元素谱线的干扰也是造成误差的一个原因。
33.简述用自来水做水源去离子水装置流程。
答：流程为：自来水经过电磁阀，进入原水箱，由原水泵加压经多介质过滤器、活性炭过滤器、全自动软化器‘安保过滤器后经一级高压泵和一级反渗透装置进入中间水箱，再经纯水泵加压依次进入阳离子交换柱、阴离子交换柱和混合离子交换柱，从混合离子交换柱流出的水即是高纯水，经紫外线杀菌和电导仪测量水质合格后即可使用。
34.简述树脂变形处理方法。
答：工厂生产的阳离子交换树脂一般为钠型，阴离子交换树脂一般为氯型。必须把它们交换制成所需的氢型和氢氧型。强酸型离子交换树脂变型1kg树脂用5%-10%盐酸3000ml；强碱型离子交换树脂变型1kg树脂用4%-6%氢氧化钠溶液2500ml。变形处理方法，把膨胀处理好的阴离子交换树脂、阳离子交换树脂分别放入上述溶液中搅拌1-2h，然后浸泡2h倒去溶液，用纯水冲阴离子交换树脂至PH值10-11，冲洗杨立志交换树脂至PH值为4-5。
35.简述自动软化系统工艺过程中反洗的目的。
答：树脂失效后，在进行再生之前，先用水自下而上的进行反洗。反洗的目的有两个：一是通过反洗，使运行中压紧的树脂层松动，有利与树脂颗粒与再生液充分接触；二是使树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而使交换器的水流阻力不会原来远大。
36.简述RO系统清洗条件。
答：（1）装置的纯水量比初期投运时或装置的纯水量比初期投运时或上次清洗后降低5%-10%时；
（2）装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%；
（3）装置各段的压力差值为出投运时或上次清洗后的1-2倍；
（4）装置需长期停运时用保护溶液保护前。
37.简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理
答：SiHCl3中杂质主要是指Mn、Fe、Ni、Ti、Mg、Al、Pb、Ca、Cr、Cu、Su、Zn等金属杂质，对这些杂质的分析采用蒸发法。蒸发法是用微量的高纯水与SiHCl3作用产生少许SiO2水解物，SiO2对痕量杂质元素有吸附作用，基体在常温下用纯净氮气做载气进行慢挥发，残留的SiO2用氢氟酸蒸汽溶解除去，残渣用盐酸溶解，用溶液干渣法光谱测定，本方法适用于测定杂质含量较低的样品。
38.简述气相色谱基本原理.
答：气相色谱是基于时间差别的分离技术，将气化的混合物或气体通过含有某种物质的管，基于管中物质对不同化合物保留新能不同而得到分离，这样就是基于时间差别对化合物分离，样品经过检测器后被记录的就是色谱图，每一个峰值代表最初混合样品中不同的组分，峰出现的时间成为保留时间，可以用来对每个组进行定性，而峰的大小则是组分含量的度量。
39.简述气相色谱法测定干法H2的组成的原理。
答：待测组分在载气的推动下，经过色谱分离柱（内填涂有固定气相的担体）由于不同化合物性质差异他们在固定相的分配系数不一样，流出速度有快有慢，因而倍测混合物组分通过色谱柱后需分离单一组分，并顺序地被载气送入测定器，进行检定，由记录仪录出色谱图，再进行测量计算达到测定的目的。
40.简述X射线形貌技术的特点。
答：与其他观察晶体缺陷的方法相比主要有如下特点
1）射线形貌技术检查晶体或者器件中的缺陷时不需要破坏样品，样品经检查后可继续使用
2）测定晶体中位错的类型走向还能测定其伯格斯矢量
3）够一次拍摄大块晶体中所有缺陷并能拍立体照片从而推测出缺陷在晶体中空间位置
4）显示晶体中杂质的条纹，微应力区以及晶体弯曲损伤等等。
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