智慧树知到《电力电子技术（湖北师范大学）》见面课答案
1、采用独立直流电源，不存在电容均压问题，同时具有模块化设计潜力，很容易实现更多电平、更高电压和更大功率输出的是（）多电平电路。
A.二极管钳位型
B.飞跨电容型
C.级联H桥型
D.VIENNA
正确答案：级联H桥型
2、单相NPC三电平空间矢量图中不存在下列哪种电压矢量
A.正小矢量
B.负小矢量
C.长矢量
D.中矢量
正确答案：中矢量
3、影响三相NPC三电平变换器中点电压平衡直接因素不包含
A.调制度
B.母线电压
C.功率因数
D.母线电容
正确答案：母线电压
4、补偿中点电压平衡是利用（ ）中点电流极性相反的特性。
A.正负小矢量
B.中矢量
C.长矢量
D.零矢量
正确答案：正负小矢量
5、下列哪种矢量中点电流不为零
A.长矢量
B.零矢量
C.中矢量
D.负矢量
正确答案：中矢量
1、交-直-交逆变电路中，中间直流环节采用大电容滤波的变流器称为（ ）变流器。
A.电流型
B.电压型
C.电容型
D.电感型
正确答案：电压型
2、把直流电能变成交流电能的电路称为（）变换器。
A.DC/AC
B.AC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
正确答案：DC/AC
3、SVPWM相比于SPWM，不属于SVPWM特点的是
A.电压利用率高
B.输出电压谐波含量低
C.调制过程简单
D.计算复杂
正确答案：调制过程简单
4、SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤
A.扇区判断
B.有效矢量作用时间计算
C.矢量合成
D.载波调制
正确答案：载波调制
5、下列不属于交流电力电子开关特点的
A.响应速度快
B.无触点
C.损耗低
D.寿命长
正确答案：损耗低
1、对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO
B.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大
D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
正确答案：IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO#GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题#电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
2、升压斩波电路中，已知电源电压E =30V,负载电压U0=50V,斩波周期T=10μs，则开通时间ton=（）
A.1μs
B.2μs
C.3μs
D.4μs
正确答案：4μs
3、升降压式斩波变换电路的占空比K的取值范围为（）时，升降压式斩波电路变换表现为降压斩波电路
A.04、由于电力MOSFET靠多子导电，不存在少子储存效应，因此其开关过程非常迅速。
A.正确
B.错误
正确答案：A
5、不属于开关电源电路构成的是
A.整流电路
B.滤波电路
C.PWM驱动电路
D.变频电路
正确答案：变频电路
1、使导通的晶闸管关断只能是
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